[发明专利]等离子体浸没式离子注入机的控制方法和偏压电源有效
| 申请号： | 201680071912.5 | 申请日： | 2016-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN109075005B | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | F·托瑞格罗萨;L·洛克斯 | 申请（专利权）人： | 离子射线服务公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;C23C14/48;H01L21/223 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 郭思宇 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种以等离子体浸没式运行的注入机的控制方法，包括：‑注入阶段[1]，在其间等离子体AP被激发，并且基底被负偏压S，‑中立化阶段[2]，在其间等离子体AP被激发，并且基底被施加正偏压或零偏压S，‑抑制阶段[3]，在其间等离子体AP被熄灭，‑基底处的带负电粒子的排出阶段[4]，在其间等离子体AP被熄灭。该方法的特征在于这个排出阶段的持续时间大于5μs。所述发明还涉及注入机的偏压电源。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 浸没 离子 注入 控制 方法 偏压 电源 | ||
【主权项】：
1.一种用于在等离子体浸没中操作的注入机的控制方法，包括：‑注入阶段([1])，在其间等离子体(AP)被激发，并且基底(SUB)被负偏压(S)，‑中立化阶段([2])，在其间等离子体(AP)被激发，并且基底(SUB)被施加正偏压或零偏压(S)，‑抑制阶段([3])，在其间等离子体(AP)被熄灭，‑基底(SUB)处的带负电粒子的排出阶段([4])，在其间等离子体(AP)被熄灭，其特征在于所述排出阶段的持续时间大于5μs。
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