[发明专利]电极的蚀刻方法和包含由该方法蚀刻的电极的二次电池在审
| 申请号： | 201680072414.2 | 申请日： | 2016-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN108370023A | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | 秋素英;金台洙;高俊相;尹世贤;李学俊;辛富建 | 申请（专利权）人： | LG化学株式会社 |
| 主分类号： | H01M4/04 | 分类号： | H01M4/04;H01M4/525;H01M4/505;H01M10/04 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王海川;穆德骏 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明涉及一种电极的蚀刻方法、包含通过所述方法蚀刻的电极的二次电池及其制造方法。根据本发明，可以通过经济地提高激光烧蚀工序的速度来有效地蚀刻电极，提高电池形状的自由度，并通过聚焦能量选择性地除去上层。因此，本发明可以以经济的方式提供高品质的二次电池。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 电极 二次电池 电池形状 激光烧蚀 聚焦能量 高品质 有效地 上层 制造 | ||
【主权项】：
1.一种通过激光烧蚀工序蚀刻电极的方法，其通过激光辐照来除去形成在电极表面上的一部分活性材料膜，所述方法包括在所述蚀刻之前加热电极。
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