[发明专利]感测层构造有效
| 申请号： | 201680072838.9 | 申请日： | 2016-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN108369204B | 公开（公告）日： | 2021-10-08 |
| 发明（设计）人： | S·J·斯黛茜;M·高维特;S·Z·艾利 | 申请（专利权）人： | 希奥检测有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413 | 代理人： | 谢攀;刘继富 |
| 地址： | 荷兰埃*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于加热微热板上的气体感测材料构造的方法，所述微热板包括：形成在包括蚀刻部分的半导体基底上的介电膜；以及气体感测材料构造被设置在介电膜的一侧上；所述方法包括：使用位于基底上的红外(IR)加热器，选择性地加热气体感测材料构造，使用设置在所述基底下方的冷却基板并利用位于所述基底和所述冷却板之间的绝热介质，可控地冷却所述半导体基底，使得气体感测结构从所述气体感测材料构造形成在所述介电膜的所述一侧上。 | ||
| 搜索关键词： | 感测层 构造 | ||
【主权项】：
1.一种用于加热微热板上的气体感测材料构造的方法，所述微热板包括：介电膜,所述介电膜在包括蚀刻部分的半导体基底上形成；以及所述气体感测材料构造设置在所述介电膜的一侧上；所述方法包括：使用位于所述基底上的红外(IR)加热器，选择性地加热所述气体感测材料构造，使用设置在所述基底下方的冷却板并利用位于所述基底和所述冷却板之间的绝热介质，可控地冷却所述半导体基底，使得气体感测结构从所述气体感测材料构造形成在所述介电膜的所述一侧上。
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