[发明专利]用于解决DRAM缺陷的系统，方法、以及计算机程序在审
| 申请号： | 201680073088.7 | 申请日： | 2016-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN108369545A | 公开（公告）日： | 2018-08-03 |
| 发明（设计）人： | D·T·全;Y·李 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F11/10 | 分类号： | G06F11/10 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 张立达;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文公开了用于解决动态随机存取存储器(DRAM)缺陷的系统、方法和计算机程序。一个实施例是一种包括有电耦合到片上系统(SoC)的动态随机存取存储器(DRAM)系统的系统。该SoC包括高速缓存和高速缓存控制器。该高速缓存控制器被配置为将与DRAM相关联的发生故障物理码字地址的校正后数据存储在高速缓存中，并且从高速缓存而不是DRAM系统来提供对发生故障物理码字地址的进一步访问。 | ||
| 搜索关键词： | 高速缓存 动态随机存取存储器 高速缓存控制器 计算机程序 发生故障 物理码 字地址 片上系统 数据存储 电耦合 校正 关联 配置 访问 | ||
【主权项】：
1.一种用于解决动态随机存取存储器(DRAM)缺陷的系统，所述系统包括：动态随机存取存储器(DRAM)系统；以及电耦合到所述DRAM系统的片上系统(SoC)，所述SoC包括高速缓存和高速缓存控制器，所述高速缓存控制器被配置为将与所述DRAM相关联的发生故障物理码字地址的校正后数据存储在所述高速缓存中，并且从所述高速缓存而不是所述DRAM系统来提供对所述发生故障物理码字地址的进一步访问。
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