[发明专利]半导体基板、以及外延晶片及其制造方法有效
| 申请号： | 201680073555.6 | 申请日： | 2016-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN108368641B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | 后藤健;熊谷义直;村上尚 | 申请（专利权）人： | 株式会社田村制作所;国立大学法人东京农工大学 |
| 主分类号： | C30B29/16 | 分类号： | C30B29/16 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 徐谦;刘宁军 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
提供一种能够通过HVPE法以高的生长率生长包括β‑Ga |
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| 搜索关键词： | 半导体 以及 外延 晶片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体基板，被用作通过HVPE法进行外延晶体生长用的基底基板，其特征在于，包括β‑Ga2O3系单晶，以与β‑Ga2O3系单晶的[100]轴平行的面为主面。
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