[发明专利]电荷转移盐、电子器件以及形成它们的方法有效
申请号: | 201680073726.5 | 申请日: | 2016-12-16 |
公开(公告)号: | CN108368240B | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
发明(设计)人: | T·库格勒;S·祖贝里;F·鲍塞特 | 申请(专利权)人: | 剑桥显示技术有限公司;住友化学株式会社 |
主分类号: | C08G61/02 | 分类号: | C08G61/02;C08G61/10;H01L51/30;H01L51/50;H01B1/12 |
代理公司: | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人: | 王海宁 |
地址: | 英国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: |
一种电荷转移盐,其由包含式(I)重复单元的材料和n‑掺杂剂形成: |
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搜索关键词: | 电荷 转移 电子器件 以及 形成 它们 方法 | ||
【主权项】:
1.一种电荷转移盐,其由包含式(I)重复单元的材料和n‑掺杂剂形成:
其中BG是重复单元的主链基团;R1是包含至少一个阳离子或阴离子基团的离子取代基;n是至少1;R2是非离子取代基;并且m是0或正整数;该材料进一步包含平衡所述阳离子或阴离子基团的电荷的抗衡离子。
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