[发明专利]成像装置和电子设备有效
| 申请号： | 201680073910.X | 申请日： | 2016-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN108369953B | 公开（公告）日： | 2022-12-16 |
| 发明（设计）人： | 大竹悠介;若野寿史 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H04N9/07;H01L27/14;H04N5/369 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 梁兴龙;曹正建 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本技术涉及能够适当地执行瞳孔校正的成像装置和电子设备。所述成像装置包括：光电转换膜，其被构造成吸收预定颜色成分的光以产生信号电荷；第一下部电极，其被构造成形成在所述光电转换膜的下方；第二下部电极，其被构造成与第一下部电极连接；通孔，其被构造成连接第一下部电极和第二下部电极；和光电二极管，其被构造成形成在第二下部电极的下方并且产生对应于入射光量的信号电荷；其中在视角中心处的所述光电二极管的中心与所述通孔的中心之间的第一距离不同于在视角边缘处的所述光电二极管的中心与所述通孔的中心之间的第二距离。本技术可以适用于成像装置。 | ||
| 搜索关键词： | 成像 装置 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种成像装置，包括：光电转换膜，其被构造成吸收预定颜色成分的光以产生信号电荷；第一下部电极，其被构造成形成在所述光电转换膜的下方；第二下部电极，其被构造成与第一下部电极连接；通孔，其被构造成连接第一下部电极和第二下部电极；和光电二极管，其被构造成形成在第二下部电极的下方并且产生对应于入射光量的信号电荷；其中在视角中心处的所述光电二极管的中心与所述通孔的中心之间的第一距离不同于在视角边缘处的所述光电二极管的中心与所述通孔的中心之间的第二距离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司，未经索尼公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201680073910.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：成像装置和电子装置
- 下一篇：隧穿场效应晶体管及其制作方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
