[发明专利]在非对称的腔室环境中的均匀晶片温度实现有效
| 申请号： | 201680074061.X | 申请日： | 2016-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN108475610B | 公开（公告）日： | 2021-02-12 |
| 发明（设计）人： | S·哈;P·康纳斯;周建华;J·C·罗查－阿尔瓦雷斯;K·D·李;段子青;N·J·布莱特;毕峰 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 杨学春;侯颖媖 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开总体涉及一种用于工艺腔室的辐射屏蔽件，所述辐射屏蔽件改善基板温度均匀性。所述辐射屏蔽件可以设置在所述工艺腔室的狭缝阀门与设置在所述工艺腔室内的基板支撑件之间。在一些实施方式中，所述辐射屏蔽件可以设置在所述工艺腔室的加热器下。此外，所述辐射屏蔽件可以阻挡从所述工艺腔室供应的辐射和/或热量，并且在一些实施方式中，所述辐射屏蔽件可以吸收和/或反射辐射，由此提供改善的温度均匀性并且改善所述基板的平面轮廓。 | ||
| 搜索关键词： | 对称 环境 中的 均匀 晶片 温度 实现 | ||
【主权项】：
1.一种用于处理腔室的辐射屏蔽件，包括：盘形辐射板，所述盘形辐射板具有穿过其中设置的多个孔洞；和辐射杆，所述辐射杆耦接到所述盘形辐射板。
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