[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201680074803.9 | 申请日： | 2016-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN108431950B | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 山本圭;六分一穗隆;西村隆;北井清文 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L23/36 | 分类号： | H01L23/36;H01L23/373;H01L25/07;H01L25/18 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在半导体装置(100)中，绝缘层(3)被夹在金属基座板(1)与引线框(5)之间，包含树脂材料(34)。封装树脂(9)对金属基座板(1)、绝缘层(3)、引线框(5)进行封装。在绝缘层(3)中填充有大于或等于20体积％而小于或等于75体积％的无机粉末填料(33)。在绝缘层(3)内，作为无机粉末填料(33)，包含最大尺寸小于或等于20μm的第1填料(32)和由多个第1填料(32)凝聚而成的第2填料(31)。绝缘层(3)内的绝缘层(3)的一个主表面(3A)侧的表层部(35)处的第1填料(32)的填充比例小于绝缘层(3)内的除了表层部以外的区域(36)的第1填料(32)的填充比例。表层部(35)的第2填料(31)的填充比例与绝缘层(3)内的除了表层部以外的区域(36)的第2填料(31)的填充比例相同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其具有：金属基座板；绝缘层，其配置于所述金属基座板的一个主表面之上，该绝缘层包含树脂材料；引线框，其配置于所述绝缘层的一个主表面之上；半导体元件，其配置于所述引线框的一个主表面之上；以及封装树脂，其以将所述金属基座板的与所述一个主表面相反侧的另一个主表面露出的方式对所述金属基座板、所述绝缘层、所述引线框以及所述半导体元件进行封装，在所述绝缘层中填充有大于或等于20体积％而小于或等于75体积％的无机粉末填料，在所述绝缘层内，作为所述无机粉末填料，包含最大尺寸小于或等于20μm的第1填料和由多个所述第1填料凝聚而成的第2填料，所述绝缘层内的所述绝缘层的所述一个主表面侧的表层部处的所述第1填料的填充比例小于所述绝缘层内的除了所述表层部以外的区域的所述第1填料的填充比例，所述表层部的所述第2填料的填充比例与所述绝缘层内的除了所述表层部以外的区域的所述第2填料的填充比例相同。
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