[发明专利]半导体处理设备的耐腐蚀性涂层在审
| 申请号： | 201680075366.2 | 申请日： | 2016-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN108431934A | 公开（公告）日： | 2018-08-21 |
| 发明（设计）人： | 尤吉塔·巴瑞克;吉蒂卡·巴贾;普莉娜·古拉迪雅;安库尔·凯达姆;拜平·塔库尔 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/02;H01L21/288 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文提供一种半导体处理设备的耐腐蚀涂层与制造半导体处理设备的耐腐蚀涂层的方法。在某些实施方式中，一种处理半导体处理腔室部件的方法包括：在包含中性电解质与阻抗材料的阳极处理溶液中，阳极处理包含含铝主体的半导体处理腔室部件，以在含铝主体顶上形成耐腐蚀涂层。在某些实施方式中，一种处理半导体处理腔室部件的方法包括：在中性电解质溶液中，阳极处理包含含铝主体的半导体处理腔室部件，以在含铝主体的表面上形成氧化铝层；及将经阳极处理的半导体处理腔室部件浸入阻抗材料溶液中，以在氧化铝层顶上形成阻抗材料层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体处理腔室 铝主体 半导体处理设备 耐腐蚀涂层 阳极处理 氧化铝层 阻抗材料 中性电解质溶液 耐腐蚀性涂层 阳极处理溶液 中性电解质 阻抗材料层 浸入 制造 | ||
【主权项】：
1.一种处理半导体处理腔室部件的方法，包含以下步骤：在包含中性电解质与阻抗材料的阳极处理溶液中，阳极处理包含含铝主体的半导体处理腔室部件，以在所述含铝主体顶上形成耐腐蚀涂层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于应用材料公司，未经应用材料公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201680075366.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
