[发明专利]低α射线量硫酸钡颗粒以及其利用和其制造方法有效
| 申请号： | 201680076083.X | 申请日： | 2016-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN108473333B | 公开（公告）日： | 2020-10-09 |
| 发明（设计）人： | 末田学;绪方宏宣 | 申请（专利权）人： | 堺化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C01F11/46 | 分类号： | C01F11/46;C01C1/02;C01C3/06;C08K3/18;C08K9/02;C08L101/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 郭煜;鲁炜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据本发明，提供低α射线量硫酸钡颗粒的制造方法，其特征在于，对将重晶石原料矿石破碎而得到的破碎矿，作为步骤(1)，(a)进行淘洗处理；或(b)进行筛处理；或(c)进行淘洗处理和筛处理；根据上述破碎矿所具有的二氧化硅含量，将其二氧化硅含量减少至规定值从而得到第1产物，接着，作为步骤(2)，将进行上述处理而得到的第1产物用还原剂还原，使作为第2产物而得到的硫化钡在水中浸出，得到硫化钡水溶液，接着，作为步骤(3)，对上述硫化钡水溶液实施化学合成，得到低α射线量硫酸钡颗粒。 | ||
| 搜索关键词： | 射线 硫酸钡 颗粒 及其 利用 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.低α射线量硫酸钡颗粒，其二氧化硅含量为0.6重量%以下、α射线量为0.07cph/cm2 以下。
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