[发明专利]SiC单晶生长炉的清理方法有效
| 申请号： | 201680076085.9 | 申请日： | 2016-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN108541278B | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 谷本阳祐;栗原秀行 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C23C14/00;C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 刘航;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种SiC单晶生长炉的清理方法，是使用气体对SiC单晶生长炉进行清理的方法，所述SiC单晶生长炉具备至少表面由3C－SiC多晶体构成的腔室内基材，所述3C－SiC多晶体的通过粉末XRD分析而得到的(111)面相对于其它晶面的强度比为85％以上且100％以下，在所述清理方法中，使混合气体以非等离子体状态在所述SiC单晶生长炉内流通，来选择性地除去堆积于该SiC单晶生长炉内的SiC堆积物，所述混合气体是惰性气体和空气中的至少一方与氟气的混合气体，所述混合气体由1体积％以上且20体积％以下的氟气和80体积％以上且99体积％以下的惰性气体组成，SiC单晶生长炉内的温度为200℃以上且500℃以下。 | ||
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【主权项】：
1.一种SiC单晶生长炉的清理方法，其特征在于，使用气体对SiC单晶生长炉进行清理，所述SiC单晶生长炉具备至少表面由3C－SiC多晶体构成的炉内基材，所述3C－SiC多晶体的通过粉末XRD分析而得到的(111)面相对于其它晶面的强度比为85％以上且100％以下，在所述清理方法中，使混合气体以非等离子体状态在所述SiC单晶生长炉内流通，来选择性地除去堆积于该SiC单晶生长炉内的SiC堆积物，所述混合气体是惰性气体和空气中的至少一方与氟气的混合气体，所述混合气体由1体积％以上且20体积％以下的氟气和80体积％以上且99体积％以下的惰性气体组成，SiC单晶生长炉内的温度为200℃以上且500℃以下。
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