[发明专利]具有减小的寄生效应的纳米线晶体管和用于制作这种晶体管的方法有效
| 申请号： | 201680076411.6 | 申请日： | 2016-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN108430911B | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | M·巴达洛格鲁;V·麦考森;S·S·宋;J·J·徐;M·M·诺瓦克;C·F·耶普 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/775 | 分类号： | H01L29/775;H01L21/335;H01L29/06;H01L29/08;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种纳米线(130)晶体管，其包括具有用于使替代金属栅极(405)与寄生沟道绝缘的局部隔离区域(120)的阱注入以及在延伸区域中的氧化帽，其抑制寄生的栅极到源极和栅极到漏极电容。用于制作器件的方法包括形成交替的选择性可蚀刻的层(例如，Si和SiGe)的鳍；用蚀刻停止掺杂剂(碳)来掺杂这些层的(源极/漏极)延伸区域；执行针对一种材料的选择性蚀刻；以及选择性氧化对应于牺牲层的延伸区域(215)，由此形成氧化帽(125)。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 减小 寄生 效应 纳米 晶体管 用于 制作 这种 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造纳米线晶体管的方法，包括：氧化阱注入以形成局部隔离区域；在所述局部隔离区域上形成包括交替的第一半导体的层和第二半导体的层的鳍，其中所述第一半导体的初始层邻接所述局部隔离区域，并且其中所述鳍从第一延伸区域延伸到第二延伸区域；在所述第一延伸区域和所述第二延伸区域中注入蚀刻停止掺杂剂；形成伪栅极开口以暴露所述鳍的栅极区域；以及选择性地蚀刻在所述鳍的所述栅极区域中的所述第一半导体的所述层，以从所述栅极区域中的所述第二半导体的所述层形成纳米线，其中经注入的所述蚀刻停止掺杂剂抑制在所述第一延伸区域和第二延伸区域中对所述第一半导体的所述层的选择性蚀刻。
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