[发明专利]单晶碳化硅的制造方法及收容容器在审
| 申请号： | 201680076536.9 | 申请日： | 2016-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN108474139A | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 矢吹纪人;鸟见聪 | 申请（专利权）人： | 东洋炭素株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B19/04 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;狄茜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供一种在利用溶液生长法使单晶碳化硅生长的情况下，制造高纯度的单晶碳化硅的方法。本制造方法中，在通过溶液生长法使外延层在至少表面由SiC组成的种子材料上生长而制造单晶碳化硅的方法中，以利用二次离子质谱分析法量测的杂质浓度变得非常低的方式使单晶碳化硅生长。另外，提供一种收容容器，是用以通过使用Si熔液的溶液生长法而使单晶碳化硅生长的收容容器，其中至少在表面设置有将作为追加原料的SiC及C的至少一者追加于Si熔液内的供给材料。由此，通过使用此收容容器进行溶液生长法，可不用进行特别的处理而制造高纯度的单晶碳化硅。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶碳化硅 溶液生长法 收容容器 制造 生长 高纯度 熔液 追加 二次离子质谱分析 表面设置 供给材料 种子材料 外延层 法量 | ||
【主权项】：
1.一种单晶碳化硅的制造方法，是在至少表面由SiC组成的种子材料上通过溶液生长法使外延层生长而制造单晶碳化硅的方法，其特徵在于：以利用二次离子质谱分析法量测的杂质浓度满足下述条件的方式使单晶碳化硅生长，Al：4.00×1016以下(atoms/cm3)Ti：3.00×1014以下(atoms/cm3)Cr：7.00×1015以下(atoms/cm3)Fe：1.00×1015以下(atoms/cm3)。
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