[发明专利]碳化硅半导体装置有效
| 申请号： | 201680077297.9 | 申请日： | 2016-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN108475703B | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 田所千广;田口健介 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 碳化硅衬底(50)设置有第1面(S1)和与第1面(S1)相反的第2面(S2)，该碳化硅衬底具有n型区域(10)和p型区域(20)，该n型区域(10)将第1面(S1)和第2面(S2)连接，该p型区域(20)与n型区域(10)接触，将第1面(S1)和第2面(S2)连接。第1阳极电极(32)在第1面(S1)之上与n型区域(10)肖特基接合。第1阴极电极(31)在第2面(S2)之上与n型区域(10)欧姆接合。第2阳极电极(41)在第1面(S1)之上与p型区域(20)欧姆接合。第2阴极电极(42)在第2面(S2)之上与p型区域(20)肖特基接合。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种碳化硅半导体装置(91～95)，其具有：碳化硅衬底(50)，其设置有第1面(S1)和与所述第1面(S1)相反的第2面(S2)，该碳化硅衬底(50)具有n型区域(10)和p型区域(20)，该n型区域(10)将所述第1面(S1)和所述第2面(S2)连接，该p型区域(20)与所述n型区域(10)接触，将所述第1面(S1)和所述第2面(S2)连接；第1阳极电极(32)，其在所述第1面(S1)之上与所述n型区域(10)肖特基接合；第1阴极电极(31)，其在所述第2面(S2)之上与所述n型区域(10)欧姆接合；第2阳极电极(41)，其在所述第1面(S1)之上与所述p型区域(20)欧姆接合；以及第2阴极电极(42)，其在所述第2面(S2)之上与所述p型区域(20)肖特基接合。
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