[发明专利]偏斜共螺旋电感器结构在审
申请号: | 201680077995.9 | 申请日: | 2016-10-26 |
公开(公告)号: | CN108475673A | 公开(公告)日: | 2018-08-31 |
发明(设计)人: | D·D·金;D·F·伯蒂;C·左;C·H·尹;J·金 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01F17/00;H01L23/522;H01L49/02;H01F27/28 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 陈炜;袁逸 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 偏斜共螺旋电感器结构可以包括由基板支撑的被安排为呈第一螺旋图案的第一迹线(410)。该偏斜共螺旋电感器结构还可以包括被安排为呈第二螺旋图案的第二迹线(420),其中该第二迹线通过通孔(404)被耦合到第一迹线。该第一迹线可在由第一迹线的宽度和第二迹线的宽度限定的正交交叠区域(412、416、422、424)中与第二轨迹交叠。第一迹线和第二迹线的平行边缘可被安排成重叠或交叠多达20%。 | ||
搜索关键词: | 迹线 螺旋电感器 偏斜 螺旋图案 轨迹交叠 基板支撑 交叠区域 宽度限定 平行边缘 耦合到 交叠 通孔 正交 | ||
【主权项】:
1.一种偏斜的共螺旋电感器结构,包括:由基板支撑的被安排为呈第一螺旋图案的第一迹线;以及被安排为呈第二螺旋图案的第二迹线,所述第二迹线被耦合到所述第一迹线,所述第一迹线在多个正交交叠区域中与所述第二迹线交叠,每个正交交叠区域具有由所述第一迹线的宽度和所述第二迹线的宽度限定的大小,其中所述第一迹线和所述第二迹线的平行边缘被安排为重合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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