[发明专利]基板评价方法有效
| 申请号： | 201680078505.7 | 申请日： | 2016-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN108701623B | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 水谷诚二;中川健二;加藤智久;竹中研介 | 申请（专利权）人： | 米朋克斯株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G01N21/21 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种在可见光区域能够观察微小的晶体缺陷的方法，包括以下步骤：向基板照射偏振所得到的平行光；以及基于利用透过了基板的光或经基板反射后的光得到的图像，来对基板的至少一部分的晶体品质进行评价。该平行光的半值宽度(HW)、发散角(DA)以及中心波长(CWL)满足以下的条件。3≤HW≤100；0.1≤DA≤5；250≤CWL≤1600。其中，中心波长(CWL)和半值宽度(HW)的单位为nm，发散角(DA)的单位为mrad。 | ||
| 搜索关键词： | 评价 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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