[发明专利]薄膜晶体管阵列面板和导电结构

摘要

一种薄膜晶体管阵列面板包括：包括栅极的第一导电层(102)；设置在所述栅极上方的沟道层(104)和设置在沟道层(104)上的第二导电层(105)。所述第二导电层(105)包括定义源极(105a)和漏极(105b)的多层部分，其包括依次相继设置的第一子层(105‑1)、第二子层(105‑2)和第三子层(105‑3)。所述第三和所述第一子层(105‑3、105‑1)均包含铟和锌氧化物材料。所述第一子层(105‑1)中的铟与锌的含量比大于所述第三子层(105‑3)中的铟与锌的含量比。所述第一和所述第三子层(105‑1、105‑3)之间的含量比例差异影响形成在所述第二导电层(105)中所述源极和所述漏极(105a、105b)之间的间隙(106)相关的侧面蚀刻轮廓，其中第三子层(105‑3)中的相关间隙(106)宽度比第一子层(105‑1)中的相关间隙(106)宽度宽。

主权项

1.一种薄膜晶体管阵列面板，包括：包括栅极的第一导电层；设置在所述栅极上方并与之绝缘的沟道层；以及设置在所述沟道层上的第二导电层，所述第二导电层包括定义源极和漏极的多层部分，其中所述第二导电层的所述多层部分至少包括：被设置成与所述沟道层电性接触的第一子层，设置在所述第一子层上的第二子层，以及设置在所述第二子层上的第三子层；其中所述第三和所述第一子层中的每一个包含含有铟和锌的金属氧化物材料，其中所述第一子层中的铟与锌的含量比大于所述第三子层中的铟与锌的含量比，其中所述第一与所述第三子层之间的铟与锌的含量比差异影响与形成在所述第二导电层中所述源极与所述漏极之间的间隙相关联的侧面蚀刻轮廓，其中在所述第三子层中与其相关的间隙宽度比在所述第一子层中的间隙宽度宽。