[发明专利]薄膜晶体管阵列面板和导电结构有效
| 申请号： | 201680078686.3 | 申请日： | 2016-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN108886057B | 公开（公告）日： | 2020-11-27 |
| 发明（设计）人： | 施博理;高逸群;林欣桦;李志隆;张炜炽;陆一民 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;G02F1/136 |
| 代理公司： | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司 44334 | 代理人： | 汪飞亚;薛晓伟 |
| 地址： | 518109 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 用于薄膜晶体管(TFT)阵列面板的导电层包括定义TFT器件的源极和漏极且包括第一子层、第二子层、第三子层、和至少一个附加子层的多层部分。所述第三和所述第一子层包含铟和锌的氧化物材料。所述第一子层中的铟与锌的含量比大于所述第三子层中的铟与锌的含量比。所述附加子层中的铟与锌的含量比被设定在所述第一与所述第三子层中的铟与锌的含量比之间。所述第一与所述第三子层之间的铟与锌含量比差异影响与形成在所述第二导电层中所述源极与所述漏极之间的间隙相关联的侧面蚀刻轮廓，其中在所述第三子层中与其相关的间隙宽度比在所述第一子层中的间隙宽度宽。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 面板 导电 结构 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管阵列面板，包括：包括栅极的第一导电层；设置在所述栅极上方并与之绝缘的沟道层；以及设置在所述沟道层之上的第二导电层，所述第二导电层包括定义源极和漏极的多层部分，其中所述第二导电层的所述多层部分至少包括：被设置成与所述沟道层电性接触的第一子层，设置在所述第一子层上的第二子层，设置在所述第二子层上的第三子层；以及设置在所述第一子层和所述第二子层之间的至少一个附加子层，其中所述第一、所述第三和所述附加子层中的每一个包含含有铟和锌的金属氧化物材料，其中所述第一子层中的铟与锌的含量比大于所述第三子层中的铟与锌的含量比，其中所述附加子层中的铟与锌的含量比被设定在所述第一与所述第三子层中的铟与锌的含量比之间，其中所述第一与所述第三子层之间的铟与锌含量比差异影响与形成在所述第二导电层中所述源极与所述漏极之间的间隙相关联的侧面蚀刻轮廓，其中在所述第三子层中与其相关的间隙宽度比在所述第一子层中的间隙宽度宽。
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