[发明专利]取代环戊二烯基钴络合物及其制造方法、含钴薄膜及其制作方法有效
| 申请号： | 201680079068.0 | 申请日： | 2016-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN108473521B | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 小礒尚之;山本有纪;尾池浩幸;早川哲平;古川泰志;多田贤一 | 申请（专利权）人： | 东曹株式会社;公益财团法人相模中央化学研究所 |
| 主分类号： | C07F19/00 | 分类号： | C07F19/00;C07F15/06;C07F17/00;C23C16/18;H01L21/28;H01L21/285 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 沈雪 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供一种对于在不使用氧化性气体的条件下制作含钴薄膜有用的钴络合物。本发明使用通式(1)(式中，R |
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| 搜索关键词： | 取代 环戊二烯基钴 络合物 及其 制造 方法 薄膜 制作方法 | ||
【主权项】：
1.通式(1)所示的钴络合物，![]()
式(1)中，R1为通式(2)所示的甲硅烷氧基，R2表示氢原子、碳原子数1～6的烷基或通式(2)所示的甲硅烷氧基，R3、R4及R5各自独立地表示氢原子或碳原子数1～6的烷基，L表示碳原子数4～10的二烯，![]()
式(2)中，R6、R7及R8各自独立地表示碳原子数1～6的烷基。
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