[发明专利]金属氧化物膜、半导体装置以及显示装置有效
| 申请号： | 201680079190.8 | 申请日： | 2016-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN108474106B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;肥塚纯一;冈崎健一;津吹将志 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/08;H01L21/363 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 葛臻翼;董庆 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种包括结晶部的金属氧化物膜。另外，提供一种物性的稳定性高的金属氧化物膜。另外，提供一种电特性得到提高的金属氧化物膜。另外，提供一种可以提高场效应迁移率的金属氧化物膜。一种包含In、M(M为Al、Ga、Y或Sn)及Zn的金属氧化物膜，该金属氧化物膜包括第一结晶部及第二结晶部，第一结晶部具有c轴取向性，第二结晶部没有c轴取向性，第二结晶部的存在比例高于第一结晶部。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 装置 以及 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种包含In、M(M为Al、Ga、Y或Sn)和Zn的金属氧化物膜，包括：第一结晶部；以及第二结晶部，其中，所述第一结晶部具有c轴取向性，并且，所述第二结晶部没有c轴取向性。
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