[发明专利]制造纳米尺寸的凹陷的方法有效

专利信息
申请号: 201680079634.8 申请日: 2016-12-16
公开(公告)号: CN108474784B 公开(公告)日: 2020-11-24
发明(设计)人: M·A·维尔斯储雷恩;P·J·范德扎格 申请(专利权)人: 皇家飞利浦有限公司
主分类号: G01N33/487 分类号: G01N33/487
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 王英;刘炳胜
地址: 荷兰艾*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及将纳米尺寸的凹陷创建到材料层中。为此,提供第一层(100),其限定第一凹陷(101)。然后用第二层(107)来共形地覆盖所述第一层(100),使得所述第二层均匀地覆盖所述第一凹陷的边界。以此方式,所述第二层限定了纳米尺寸的凹陷。此外,本发明涉及使用具有第二纳米尺寸的凹陷的这样的结构,用于将纳米狭缝刻蚀到石墨烯层中。此外,这样的具有纳米狭缝的石墨烯层被描述为用于创建用于对分子进行测序的交叉纳米狭缝设备。
搜索关键词: 制造 纳米 尺寸 凹陷 方法
【主权项】:
1.一种创建纳米尺寸的凹陷的方法,包括以下步骤:‑提供第一材料的第一层(100),所述第一层限定第一凹陷(101)(S1);并且‑将第二材料的第二层(107)共形地沉积到所述第一层上,使得所述第二材料均匀地覆盖所述第一凹陷的边界(102、103),直到所述第二层限定第二纳米尺寸的凹陷(108);其中,所述第二纳米尺寸的凹陷(108)的最小直径(109)小于5nm。
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