[发明专利]阻气膜及阻气膜的制造方法在审
| 申请号： | 201680080135.0 | 申请日： | 2016-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN108602314A | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 中山亚矢 | 申请（专利权）人： | 富士胶片株式会社 |
| 主分类号： | B32B9/00 | 分类号： | B32B9/00;C23C14/10;C23C16/42;H01L51/50;H05B33/04;H05B33/10 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 曹阳 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种在高温高湿环境下也具有高阻隔性的阻气膜及其制造方法。阻气膜依次包括膜基材、有机层及二氧化硅层，上述二氧化硅层含有在硅原子与氧原子之间至少含有共价键的二氧化硅高分子，并且上述有机层的碳原子浓度为50％以上。一种阻气膜的制造方法，其中，在膜基材上形成碳原子浓度为50％以上的有机层，在上述有机层上涂布含有硅化合物的涂布液以形成含有该硅化合物的层，用真空紫外线照射含有上述硅化合物的层以形成含有在硅原子与氧原子之间至少具有共价键的二氧化硅高分子的二氧化硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 阻气膜 有机层 二氧化硅层 硅化合物 二氧化硅 共价键 硅原子 膜基材 碳原子 氧原子 真空紫外线照射 制造 高温高湿环境 高阻隔性 涂布液 | ||
【主权项】：
1.一种阻气膜，其依次包括：膜基材；第1有机层；及二氧化硅层，所述二氧化硅层含有在硅原子与氧原子之间至少具有共价键的二氧化硅高分子，所述第1有机层的碳原子浓度为50％以上。
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