[发明专利]基板处理装置及基板处理方法有效
申请号: | 201680080316.3 | 申请日: | 2016-12-26 |
公开(公告)号: | CN108604544B | 公开(公告)日: | 2022-10-21 |
发明(设计)人: | 岩尾通矩;村元僚 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;H01L21/02;H01L21/306 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇;崔炳哲 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 基板处理装置的基板保持部将基板(9)保持为水平状态。基板旋转机构使基板保持部以沿着上下方向延伸的中心轴J1为中心旋转。顶板(5)与基板(9)的上表面相向,并且以中心轴(J1)为中心旋转。气体供给部向下方空间的径向中央部供给处理环境用气体,该下方空间是顶板(5)的下方的空间。离子生成部(8)生成离子,并向来自气体供给部的处理环境用气体供给该离子。此外,在顶板(5)位于比搬入基板(9)时的位置更靠下方的位置的状态下,使基板保持部与顶板(5)旋转,并且向上述下方空间供给包含离子的处理环境用气体,形成从下方空间的径向中央部向径向外侧扩散的离子气流。由此,能够通过简单的构造对顶板(5)进行除电。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理装置,用于处理基板,其中,具有:基板保持部,将基板保持为水平状态;基板旋转机构,使所述基板保持部以沿着上下方向延伸的中心轴为中心进行旋转;相向构件,与所述基板的上表面相向,并且以所述中心轴为中心进行旋转;处理液供给部,向所述基板的所述上表面供给处理液;气体供给部,向下方空间的径向中央部供给处理环境用气体,所述下方空间是所述相向构件的下方的空间;离子生成部,生成离子,并向来自所述气体供给部的所述处理环境用气体供给所述离子;以及控制部,通过控制所述基板旋转机构、所述气体供给部以及所述离子生成部,在所述相向构件位于比搬入所述基板时的所述相向构件的位置更靠下方的位置的状态下,使所述基板保持部以及所述相向构件旋转,并且向所述下方空间供给包含所述离子的所述处理环境用气体,形成从所述下方空间的径向中央部向径向外侧扩散的离子气流。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社斯库林集团,未经株式会社斯库林集团许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201680080316.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:用于化学机械抛光的小型垫的载体
- 下一篇:输送装置和清洗装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造