[发明专利]串联太阳能电池及制造这种太阳能电池的方法在审

专利信息
申请号: 201680080672.5 申请日: 2016-12-19
公开(公告)号: CN108604608A 公开(公告)日: 2018-09-28
发明(设计)人: 约翰尼斯·艾德里安努斯·玛丽亚·万鲁斯马伦;齐格弗里德·克里斯蒂安·维恩斯特拉;张栋;兰伯特·约翰·吉林斯;鲁道夫·艾曼纽·伊西多尔·施罗普 申请(专利权)人: 荷兰能源研究中心基金会
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L27/30;H01L31/078
代理公司: 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 代理人: 王达佐;王艳春
地址: 荷兰*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要: 串联太阳能电池(100)包括基于硅晶片的太阳能电池(110)和薄膜太阳能电池结构(130)的堆栈。基于硅晶片的太阳能电池具有用于接收辐射的第一晶片表面和与第一晶片表面相对的第二晶片。薄膜太阳能电池结构具有用于接收辐射的第一膜表面和与第一膜表面相对的第二膜表面。薄膜太阳能电池结构的第二膜表面与基于硅晶片的太阳能电池的第一晶片表面接合。基于硅晶片的太阳能电池和薄膜太阳能电池结构的堆栈设置有至少一个导电元件(140),该导电元件(140)延伸通过第一膜表面与第二晶片表面之间的堆栈。导电元件在第二晶片表面上设置有接触垫片(142),并在第一膜表面与接触垫片之间形成导电路径。
搜索关键词: 太阳能电池 膜表面 晶片表面 薄膜太阳能电池 硅晶片 导电元件 接触垫片 堆栈 串联 导电路径 堆栈设置 辐射 接合 晶片 延伸 制造
【主权项】:
1.串联太阳能电池,包括基于硅晶片的太阳能电池和薄膜太阳能电池结构的堆栈;所述基于硅晶片的太阳能电池具有第一晶片表面和第二晶片,所述第一晶片表面用于接收辐射,所述第二晶片与所述第一晶片表面相对;所述薄膜太阳能电池结构具有第一膜表面和第二膜表面,所述第一膜表面用于接收辐射,所述第二膜表面与所述第一膜表面相对;所述薄膜太阳能电池结构的所述第二膜表面与所述基于硅晶片的太阳能电池的所述第一晶片表面接合,所述基于硅晶片的太阳能电池和所述薄膜太阳能电池结构的堆栈设置有至少一个导电元件,所述导电元件延伸通过所述第一膜表面与所述第二晶片表面之间的堆栈,以及在所述第二膜表面上设置有接触垫片,并且在所述第一膜表面与所述接触垫片之间形成导电路径,其中,所述硅晶片太阳能电池包括基底导电层,所述基底导电层位于第一电极层与第二电极层之间,以及所述第一电极层与所述基底导电层之间布置有钝化隧道层。
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