[发明专利]用于离子注入系统的含锡掺杂剂组合物、系统和方法有效
| 申请号： | 201680081428.0 | 申请日： | 2016-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN108604524B | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | A·雷伊尼克尔;A·K·辛哈;郭琼 | 申请（专利权）人： | 普莱克斯技术有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/317 | 分类号： | H01J37/317;C07F7/22;C23C14/48 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张萍;万雪松 |
| 地址： | 美国康*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了用于使用某些锡化合物作为掺杂剂源进行离子注入的新型方法和系统。基于一个或多个特定属性来选择合适的含锡掺杂剂源材料。其中一些属性包括室温下的稳定性；从其源供应装置递送到离子室的足够的蒸气压，以及产生用于离子注入的合适的束电流以实现所需的注入Sn剂量的能力。所述掺杂剂源优选地从在亚大气压条件下致动的源供应装置递送，以提高操作期间的安全性和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 离子 注入 系统 掺杂 组合 方法 | ||
【主权项】：
1.一种使用含Sn掺杂剂材料进行离子注入过程的方法，所述方法包括以下步骤：将含Sn掺杂剂源储存在储存及递送容器中；所述含Sn掺杂剂源的特征在于以下属性中的一个或多个属性：(i)储存和递送期间的稳定性；(ii)在室温(25℃)下大于或等于20托的蒸气压；(iii)生成能够掺杂大于1011原子/cm2的离子束；(iv)在室温下以液体形式自然存在；以及(v)包括Sn、H和卤素原子；从所述储存及递送容器中回收呈气相的所述含Sn掺杂剂源；使所述蒸发的含Sn掺杂剂源流动；以及将所述含Sn掺杂剂源蒸气引入离子源室。
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