[发明专利]创建具有富铟侧表面和底表面的有源沟道的设备和方法有效
| 申请号： | 201680082393.2 | 申请日： | 2016-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN108701714B | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | C.S.莫哈帕特拉;A.S.墨菲;G.A.格拉斯;M.V.梅茨;W.拉赫马迪;G.德维;T.加尼;J.T.卡瓦利罗斯 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 徐予红;郑冀之 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 可形成具有含铟的三元或以上的III‑V族化合物有源沟道的晶体管装置及用于制作该晶体管装置的过程，其在制作例如在三栅或环栅（GAA）装置中使用的那些有源沟道的鳍形有源沟道时使能改进的载流子迁移率。在一个实施例中，含铟的三元或以上的III‑V族化合物可沉积在子结构的重构的上表面上的窄沟槽中，这可产生具有富铟侧表面和富铟底表面的鳍。这些富铟表面将邻接晶体管的栅氧化物，并且相对于含铟的三元或以上的III‑V族化合物有源沟道的常规同质组成可产生高电子迁移率和改进的切换速度。 | ||
| 搜索关键词： | 创建 具有 富铟侧 表面 有源 沟道 设备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有含铟的三元或以上的III‑V族化合物有源沟道的微电子结构，其中所述含铟的三元或以上的III‑V族化合物有源沟道包括至少一个侧表面和底表面，其中所述至少一个侧表面和所述底表面具有比所述含铟的三元或以上的III‑V族化合物有源沟道的平均铟含量更高的铟含量。
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