[发明专利]半导体装置的制造方法以及半导体装置

摘要

本发明的功率半导体装置的制造方法,依次包括：半导体基体准备工序；第一沟槽形成工序；第一绝缘膜形成工序，形成第一绝缘膜126a；栅极绝缘膜形成工序；栅电极形成工序；第二沟槽形成工序，在将第一绝缘膜126a的中央部去除后在第一沟槽116内形成第二沟槽140；第二绝缘膜形成工序，以在第二沟槽内残留有空隙122为条件在第二沟槽140的内部形成第二绝缘膜126b；屏蔽电极形成工序，在空隙122内形成屏蔽电极124；以及源电极形成工序，形成源电极。根据本发明的半导体装置的制造方法，就能够简化用于使屏蔽电极与源电极之间取得连接的工序的，并且，能够以高设计自由度来制造半导体装置。

主权项

1.一种半导体装置的制造方法，用于制造具备栅电极与屏蔽电极在平面方向上分离的平面分离型屏蔽栅极构造的半导体装置，其特征在于，依次包括：半导体基体准备工序，准备具有第一导电型第一半导体层以及比该第一半导体层更低浓度的第一导电型第二半导体层的半导体基体；第一沟槽形成工序，在所述第二半导体层上形成规定的第一沟槽；第一绝缘膜形成工序，形成第一绝缘膜并使其填埋所述第一沟槽的下部；栅极绝缘膜形成工序，在所述第一沟槽的上部的侧壁上形成栅极绝缘膜；栅电极形成工序，经由所述栅极绝缘膜，形成由多晶硅构成的所述栅电极；第二沟槽形成工序，在将所述第一绝缘膜的中央部通过蚀刻去除后在所述第一沟槽内形成第二沟槽；第二绝缘膜形成工序，以在所述第二沟槽内残留有空隙为条件至少在所述第二沟槽的内部形成第二绝缘膜；屏蔽电极形成工序，在所述空隙内形成所述屏蔽电极；以及源电极形成工序，形成源电极使其与所述屏蔽电极电气连接。