[发明专利]太阳能电池的制造方法在审

专利信息
申请号: 201680082530.2 申请日: 2016-03-14
公开(公告)号: CN108780825A 公开(公告)日: 2018-11-09
发明(设计)人: 滨本哲;西村慎也;西村邦彦;幸畑隼人;滨笃郎 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 孙蕾
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 其目的在于在使固相扩散源成膜之后接着通过热处理进行杂质扩散时,抑制杂质混入到背面,得到载流子寿命长的太阳能电池的制造方法,其特征在于,包括:在具有受光面(1A)及背面(1B)的n型单晶硅基板(1)的受光面(1A)形成作为固相扩散源的BSG膜(2)的工序;以及对n型单晶硅基板(1)进行加热,从BSG膜(2)使作为第2导电类型的杂质的硼扩散,形成p型扩散层(7)的热处理工序,在pn分离工序之前,形成BSG膜(2)以及对BSG膜(2)进行加热来形成p型扩散层(7),去除BSG膜(2)。进而,在用于形成p型扩散层(7)的热处理工序之前,包括去除被形成在背面(1B)的含硼的生成物、含氧化硅的生成物等固相扩散源的工序。
搜索关键词: 固相扩散源 背面 热处理工序 太阳能电池 受光面 基板 去除 加热 载流子寿命 热处理 导电类型 分离工序 杂质扩散 硼扩散 氧化硅 成膜 混入 制造
【主权项】:
1.一种太阳能电池的制造方法,其特征在于,包括:使固相扩散源成膜于具有相对置的第1主面和第2主面的第1导电类型的半导体基板的所述第1主面的工序;去除在所述成膜的工序中形成于所述第2主面的生成物的工序;对被去除所述生成物的所述半导体基板进行加热,从所述固相扩散源在所述第1主面侧形成第2导电类型的第1扩散层的工序;在所述半导体基板的所述第2主面形成具有第1导电类型的第2扩散层的工序;去除所述固相扩散源的工序;以及将所述第2扩散层和所述第1扩散层电气地分离的工序,在将所述第2扩散层和所述第1扩散层电气地分离的工序之前实施去除所述固相扩散源的工序。
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