[发明专利]太阳能电池的制造方法在审
申请号: | 201680082530.2 | 申请日: | 2016-03-14 |
公开(公告)号: | CN108780825A | 公开(公告)日: | 2018-11-09 |
发明(设计)人: | 滨本哲;西村慎也;西村邦彦;幸畑隼人;滨笃郎 | 申请(专利权)人: | 三菱电机株式会社 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 孙蕾 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 其目的在于在使固相扩散源成膜之后接着通过热处理进行杂质扩散时,抑制杂质混入到背面,得到载流子寿命长的太阳能电池的制造方法,其特征在于,包括:在具有受光面(1A)及背面(1B)的n型单晶硅基板(1)的受光面(1A)形成作为固相扩散源的BSG膜(2)的工序;以及对n型单晶硅基板(1)进行加热,从BSG膜(2)使作为第2导电类型的杂质的硼扩散,形成p型扩散层(7)的热处理工序,在pn分离工序之前,形成BSG膜(2)以及对BSG膜(2)进行加热来形成p型扩散层(7),去除BSG膜(2)。进而,在用于形成p型扩散层(7)的热处理工序之前,包括去除被形成在背面(1B)的含硼的生成物、含氧化硅的生成物等固相扩散源的工序。 | ||
搜索关键词: | 固相扩散源 背面 热处理工序 太阳能电池 受光面 基板 去除 加热 载流子寿命 热处理 导电类型 分离工序 杂质扩散 硼扩散 氧化硅 成膜 混入 制造 | ||
【主权项】:
1.一种太阳能电池的制造方法,其特征在于,包括:使固相扩散源成膜于具有相对置的第1主面和第2主面的第1导电类型的半导体基板的所述第1主面的工序;去除在所述成膜的工序中形成于所述第2主面的生成物的工序;对被去除所述生成物的所述半导体基板进行加热,从所述固相扩散源在所述第1主面侧形成第2导电类型的第1扩散层的工序;在所述半导体基板的所述第2主面形成具有第1导电类型的第2扩散层的工序;去除所述固相扩散源的工序;以及将所述第2扩散层和所述第1扩散层电气地分离的工序,在将所述第2扩散层和所述第1扩散层电气地分离的工序之前实施去除所述固相扩散源的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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