[发明专利]衬底处理装置、半导体器件的制造方法及程序在审
| 申请号： | 201680082674.8 | 申请日： | 2016-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN108885968A | 公开（公告）日： | 2018-11-23 |
| 发明（设计）人： | 齐藤一人;八岛司 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/677;H01L21/205;H01L21/31 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军;李文屿 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供能够维持生产率、能够自动地对制程进行执行控制的构成。提供一种构成，其具备：对衬底实施处理的处理室；在真空状态下实施衬底的搬送的第一搬送室；在大气压状态下实施衬底的搬送的第二搬送室；将所述第一搬送室与所述第二搬送室连结的、能够减压的预备室；和分别执行所述预备室的保养制程及所述处理室的生产制程的控制部，在所述构成中，所述控制部若在执行所述保养制程的过程中收到执行所述生产制程的指示，则暂时停止所述保养制程并优先执行所述生产制程，在所述生产制程结束后，继续执行暂时停止了的所述保养制程。 | ||
| 搜索关键词： | 制程 搬送室 保养 衬底 预备室 衬底处理装置 生产 半导体器件 大气压状态 继续执行 优先执行 真空状态 减压 自动地 连结 制造 | ||
【主权项】：
1.衬底处理装置，其具备：对衬底实施处理的处理室；在减压状态下实施衬底的搬送的第一搬送室；在大气压状态下实施衬底的搬送的第二搬送室；将所述第一搬送室与所述第二搬送室连结的、能够减压的预备室；和控制部，其控制所述预备室并执行所述预备室的保养制程，控制所述处理室并执行所述处理室的生产制程，在所述衬底处理装置中，所述控制部若在执行所述保养制程的过程中收到执行所述生产制程的指示，则暂时停止所述保养制程并优先执行所述生产制程，在所述生产制程结束后，继续执行暂时停止了的所述保养制程。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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