[发明专利]太阳能电池及太阳能电池的制造方法在审
| 申请号： | 201680082746.9 | 申请日： | 2016-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN109075216A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 小林裕美子;绵引达郎;森冈孝之 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0747 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 贾成功 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请说明书中所公开的技术涉及具备烧成电极、且能够抑制由烧成引起的损伤的技术。与本技术有关的太阳能电池具备：在半导体基板(100)上形成的隧道氧化物层(104)、在隧道氧化物层(104)上形成的第1导电型的半导体层(106)、在半导体层(106)上形成的保护膜(107)、和从保护膜(107)上将保护膜(107)贯通且与半导体层(106)接触而形成的电极(111)，电极(111)为含有玻璃粒子的烧成电极。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 太阳能电池 半导体层 保护膜 烧成 隧道氧化物层 半导体基板 玻璃粒子 导电型 损伤 贯通 申请 制造 | ||
【主权项】：
1.一种太阳能电池，具备：在半导体基板(100、200)上形成的隧道氧化物层(104、204)、在所述隧道氧化物层(104、204)上形成的第1导电型的半导体层(106、206)、在所述半导体层(106、206)上形成的保护膜(107、207)、和从所述保护膜(107、207)上将所述保护膜(107、207)贯通并且与所述半导体层(106、206)接触而形成的电极(111、211)，所述电极(111、211)为含有玻璃粒子的烧成电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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