[发明专利]用于改善的热和RF性能的具有底部填充氮化铝的氮化镓晶体管在审
| 申请号： | 201680083045.7 | 申请日： | 2016-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN108713253A | 公开（公告）日： | 2018-10-26 |
| 发明（设计）人： | H·W·田;S·达斯古普塔;M·拉多萨夫列维奇;P·B·菲舍尔 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种设备包括衬底上的晶体管器件，该晶体管器件包括：本征层，该本征层包括沟道；在沟道的相对侧上的源极和漏极；以及在本征层与源极和漏极中的每个之间的扩散阻挡，该扩散阻挡的导带能量小于沟道的导带能量并且大于源极和漏极的材料的导带能量。一种方法包括：在衬底上为晶体管器件的沟道界定本征层区域；在为源极和漏极界定的区域中形成扩散阻挡层；以及在为源极界定的区域中在扩散阻挡层上形成源极，并且在为漏极界定的区域中形成漏极。 | ||
| 搜索关键词： | 漏极 源极 本征层 沟道 界定 晶体管器件 导带 扩散阻挡层 衬底 氮化镓晶体管 阻挡 扩散 底部填充 氮化铝 | ||
【主权项】：
1.一种设备，包括：设置于衬底上的晶体管器件，所述晶体管器件包括沟道，所述沟道包括氮化镓；设置于所述衬底上、在所述沟道和所述衬底之间的缓冲层；以及氮化铝层，其中，所述缓冲层设置于所述氮化铝层上。
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