[发明专利]磁传感器在审

专利信息
申请号: 201680083608.2 申请日: 2016-10-20
公开(公告)号: CN108780128A 公开(公告)日: 2018-11-09
发明(设计)人: 田边圭 申请(专利权)人: TDK株式会社
主分类号: G01R33/02 分类号: G01R33/02;H01L43/08
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 杨琦;陈明霞
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明提供一种不易受环境磁场影响的磁传感器。本发明的磁传感器具备:位于第1平面(P1)的磁检测元件(MR1~MR4)、以及设置在第2平面(P2)的磁性体(30A)。磁性体(30A)包括:第1、第2脚部(41、42)、以及位于第1、第2脚部(41、42)之间且在与第2平面(P2)之间形成第1空间(61)的第1主体部(51)。磁检测元件(MR1~MR4)被第1主体部(51)覆盖。根据本发明,待检测的磁场聚集在第1及第2脚部(41、42)中,而磁检测元件(MR1~MR4)被第1主体部(51)覆盖,因此,能够经由第1主体部(51)能够使成为噪声的环境磁场绕开,由此能够减小环境磁场的影响。
搜索关键词: 主体部 磁检测元件 磁传感器 环境磁场 脚部 磁性体 磁场聚集 覆盖 减小 绕开 噪声 检测
【主权项】:
1.一种磁传感器,其特征在于,具备:位于第1平面且至少包含第1磁检测元件的多个磁检测元件、以及设置于平行于所述第1平面的第2平面中的磁性体,所述磁性体包括:在与所述第2平面之间形成第1空间的第1主体部、以及相对于所述第1主体部突出、且固定于所述第2平面上的第1脚部,所述第1磁检测元件被所述第1主体部覆盖。
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