[发明专利]太阳能电池、太阳能电池组件和太阳能电池的制造方法有效
| 申请号： | 201680083910.8 | 申请日： | 2016-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN108886068B | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 东方田悟司;重松正人;松山谦太 | 申请（专利权）人： | 松下知识产权经营株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/0747 | 分类号： | H01L31/0747;H01L21/20;H01L21/265;H01L31/044 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的太阳能电池，在n型硅衬底(1)上设置有低掺杂区域(11)、和具有比该n型低掺杂区域(11)高的n型掺杂浓度的第一主面侧高掺杂区域(12)。将第一主面侧高掺杂区域(12)配置在n型低掺杂区域(11)与p型非晶硅层(3)之间。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 组件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：第一导电型的硅衬底；和位于所述硅衬底的第一主面侧的第二导电型的非晶硅层，所述硅衬底具有：被掺杂成所述第一导电型的低掺杂区域；和第一主面侧高掺杂区域，该第一主面侧高掺杂区域设置于所述低掺杂区域与所述非晶硅层之间，且具有比所述低掺杂区域高的所述第一导电型的掺杂浓度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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