[发明专利]基于鳍的晶体管的几何调整在审
| 申请号： | 201680084258.1 | 申请日： | 2016-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN109075078A | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | G.A.格拉斯;A.S.墨菲;K.贾姆布纳坦;C.S.莫哈帕特拉;H.甘;N.G.米斯特卡维;J.S.江;B.古哈 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 郑浩;杨美灵 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在绝缘层中形成沟槽以暴露衬底上的原生鳍。在沟槽中的原生鳍上沉积替代鳍。横向修剪替代鳍。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘层 几何调整 晶体管 替代 衬底 修剪 沉积 暴露 | ||
【主权项】：
1.一种用来制造电子装置的方法，包括：在绝缘层中形成第一沟槽以暴露衬底上的原生鳍；在所述沟槽中的所述原生鳍上沉积替代鳍；以及使用第一化学品横向修剪所述替代鳍。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
