[发明专利]用于具有双侧金属化的半导体器件的背侧接触电阻减小有效
| 申请号： | 201680086318.3 | 申请日： | 2016-07-01 |
| 公开（公告）号： | CN109196653B | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | G·A·格拉斯;A·S·默西;K·贾姆布纳坦;C·S·莫哈帕特拉;M·J·科布林斯基;P·莫罗 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/66;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了用于具有双侧金属化(MOBS)的半导体器件的背侧接触电阻减小的技术。在一些实施例中，本文描述的技术提供了恢复在制作背侧接触时本来存在的低接触电阻的方法，由此减少或消除了劣化晶体管性能的寄生外部电阻。在一些实施例中，该技术包括增加在背侧接触沟槽中外延沉积非常高掺杂的晶体半导体材料，以提供增强的欧姆接触性质。在一些情况下，可以(在前侧处理期间)在转移晶片上形成的一个或多个晶体管的替换S/D区下方形成背侧源极/漏极(S/D)蚀刻停止层，从而在形成背侧接触沟槽时，背侧S/D蚀刻停止层可以帮助在消耗掉S/D材料的部分或全部之前停止背侧接触蚀刻工艺。可以描述和/或公开其它实施例。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 具有 金属化 半导体器件 接触 电阻 减小 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路(IC)，包括：衬底；晶体管，其在所述衬底上方并且包括单晶半导体材料层，其中，所述晶体管包括：栅极；所述栅极上方的沟道；以及与所述沟道相邻的源极和漏极(S/D)区，其中，所述源极区包括第一掺杂剂浓度，并且其中，所述漏极区包括第二掺杂剂浓度；所述S/D区中的至少一个上方的接触层；以及所述接触层和所述S/D区中的所述至少一个之间的接触电阻减小层，其中，所述接触电阻减小层包括第三掺杂剂浓度，所述第三掺杂剂浓度比所述第一掺杂剂浓度和所述第二掺杂剂浓度中的每者在浓度上大至少每立方厘米(cm)1E20个原子的；处于所述晶体管下方并且在所述晶体管和所述衬底之间的至少一个金属化层；以及所述晶体管上方的至少一个金属化层。
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