[发明专利]具有格栅区段的靶组件和同位素产生系统有效

专利信息
申请号: 201680086825.7 申请日: 2016-08-25
公开(公告)号: CN109315060B 公开(公告)日: 2021-08-03
发明(设计)人: M·帕纳斯特;J·拉森;T·埃里克森 申请(专利权)人: 通用电气公司
主分类号: H05H6/00 分类号: H05H6/00
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 侯颖媖;钱慰民
地址: 美国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种靶组件包括具有产生室和射束通道的靶体。所述靶体包括布置在所述射束通道中的第一格栅区段和第二格栅区段。所述第一格栅区段和所述第二格栅区段中的每一者都具有前侧和后侧。所述第一格栅区段的所述后侧与所述第二格栅区段的所述前侧通过其间的接口彼此邻接。所述第二格栅区段的所述后侧面向所述产生室。所述靶组件还包括定位在所述第一格栅区段与所述第二格栅区段之间的箔。所述第一格栅区段和第二格栅区段中的每一者都具有限定通过所述第一格栅区段和所述第二格栅区段的格栅通道的内壁。所述粒子束被配置成朝向所述产生室穿过所述格栅通道。所述第一格栅区段和所述第二格栅区段的内壁与所述箔的相反两侧相接合。
搜索关键词: 具有 格栅 区段 组件 同位素 产生 系统
【主权项】:
1.一种用于同位素产生系统的靶组件,所述靶组件包括:靶体,所述靶体具有产生室和射束通道,所述产生室被定位成接收被引导穿过所述射束通道的粒子束,所述产生室被配置成固持靶材料;所述靶体的第一格栅区段和第二格栅区段,所述第一格栅区段和所述第二格栅区段布置在所述射束通道中,所述第一格栅区段和所述第二格栅区段中的每一者都具有前侧和后侧,所述第一格栅区段的所述后侧与所述第二格栅区段的所述前侧通过其间的接口彼此邻接,所述第二格栅区段的所述后侧面向所述产生室;以及箔,所述箔在所述接口处定位在所述第一格栅区段与所述第二格栅区段之间,所述第一格栅区段和所述第二格栅区段中的每一者分别具有限定通过所述第一格栅区段和所述第二格栅区段的格栅通道的内壁,所述粒子束被配置成朝向所述产生室穿过所述格栅通道,所述第一格栅区段和所述第二格栅区段的所述内壁与所述箔的相反两侧相接合。
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