[发明专利]有机铅卤化物钙钛矿薄膜及制造其的方法

摘要

一种用于有机铅卤化物钙钛矿薄膜的室温制造的方法包括：在室温下基于在配合基（L）蒸汽和PbX2薄膜之间的固‑气反应来形成PbX2.(L)y薄膜；在室温下通过使PbX2.(L)y薄膜暴露于有机卤化铵溶液来形成钙钛矿薄膜；从有机卤化铵的溶液移除钙钛矿薄膜；清洗钙钛矿薄膜；干燥钙钛矿薄膜；使钙钛矿薄膜暴露于甲胺/醇气体混合物；从甲胺/醇气体混合物中移除钙钛矿薄膜；以及干燥钙钛矿薄膜。

主权项

1.一种有机铅卤化物钙钛矿薄膜的室温制造的方法，所述方法包括以下步骤：形成溶液；在室温从溶液形成薄膜；将形成的薄膜自然干燥；在室温通过在配合基（L）蒸汽和干燥的薄膜之间的固‑气反应在原位形成薄膜；在室温通过使形成的薄膜暴露于有机卤化铵的溶液而形成钙钛矿薄膜；从有机卤化铵的溶液移除合成的钙钛矿薄膜；利用异丙醇（IPA）清洗被移除的合成的钙钛矿薄膜；将清洗的钙钛矿薄膜自然干燥；使干燥的钙钛矿薄膜暴露于甲胺/醇气体混合物；从甲胺/醇气体混合物移除钙钛矿薄膜；以及使移除的钙钛矿薄膜干燥。