[发明专利]用于MMIC HEMT放大器的补偿器器件有效

专利信息
申请号: 201680088015.5 申请日: 2016-07-28
公开(公告)号: CN109565262B 公开(公告)日: 2020-09-04
发明(设计)人: 卢卡·皮亚宗 申请(专利权)人: 华为技术有限公司
主分类号: H03F1/30 分类号: H03F1/30;H03F3/195
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 熊永强;李稷芳
地址: 518129 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供了一种用于偏置MMIC HEMT放大器602的栅极的补偿器器件100,所述补偿器器件100包括两个电阻器R1和R2以及与所述两个电阻器R1和R2串联连接并且位于所述两个电阻器R1和R2之间的至少两个HEMT Q1、Q2、……、QN,其中,选择所述电阻器R1和R2以及所述HEMT Q1、Q2、……、QN,使得在补偿器器件100的操作中,至少一个第一HEMT Q1的偏置点在饱和区中,至少一个第二HEMT Q2的偏置点在欧姆区中。
搜索关键词: 用于 mmic hemt 放大器 补偿 器件
【主权项】:
1.一种用于偏置单片微波集成电路MMIC高电子迁移率晶体管HEMT放大器(602)的栅极的补偿器器件(100),其特征在于,所述补偿器器件(100)包括:两个电阻器(R1、R2);与所述两个电阻器(R1、R2)串联连接并且位于所述两个电阻器(R1、R2)之间的至少两个HEMT(Q1、Q2),其中:选择所述电阻器(R1、R2)和所述HEMT(Q1、Q2),使得在补偿器器件(100)的操作中,至少一个第一HEMT(Q1)的偏置点在饱和区中,至少一个第二HEMT(Q2)的偏置点在欧姆区中。
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