[发明专利]用于MMIC HEMT放大器的补偿器器件有效
申请号: | 201680088015.5 | 申请日: | 2016-07-28 |
公开(公告)号: | CN109565262B | 公开(公告)日: | 2020-09-04 |
发明(设计)人: | 卢卡·皮亚宗 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
主分类号: | H03F1/30 | 分类号: | H03F1/30;H03F3/195 |
代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 熊永强;李稷芳 |
地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供了一种用于偏置MMIC HEMT放大器602的栅极的补偿器器件100,所述补偿器器件100包括两个电阻器R1和R2以及与所述两个电阻器R1和R2串联连接并且位于所述两个电阻器R1和R2之间的至少两个HEMT Q1、Q2、……、QN,其中,选择所述电阻器R1和R2以及所述HEMT Q1、Q2、……、QN,使得在补偿器器件100的操作中,至少一个第一HEMT Q1的偏置点在饱和区中,至少一个第二HEMT Q2的偏置点在欧姆区中。 | ||
搜索关键词: | 用于 mmic hemt 放大器 补偿 器件 | ||
【主权项】:
1.一种用于偏置单片微波集成电路MMIC高电子迁移率晶体管HEMT放大器(602)的栅极的补偿器器件(100),其特征在于,所述补偿器器件(100)包括:两个电阻器(R1、R2);与所述两个电阻器(R1、R2)串联连接并且位于所述两个电阻器(R1、R2)之间的至少两个HEMT(Q1、Q2),其中:选择所述电阻器(R1、R2)和所述HEMT(Q1、Q2),使得在补偿器器件(100)的操作中,至少一个第一HEMT(Q1)的偏置点在饱和区中,至少一个第二HEMT(Q2)的偏置点在欧姆区中。
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