[发明专利]用于对准衬底的方法和设备有效
| 申请号： | 201680088184.9 | 申请日： | 2016-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN109643674B | 公开（公告）日： | 2023-01-10 |
| 发明（设计）人： | T.瓦根莱特纳;D.齐纳;J.M.聚斯;C.辛恩;J.马林格 | 申请（专利权）人： | EV集团E·索尔纳有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/68 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 臧永杰;刘春元 |
| 地址： | 奥地利圣*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于在使用多个检测单元的情况下将第一衬底(16)与第二衬底(17)对准和接触的方法以及一种对应设备。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 对准 衬底 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种用于将第一衬底(16)的第一接触面(16i)与第二衬底(17)的第二接触面(17i)对准和接触的方法，所述方法具有以下步骤，尤其是以下流程：‑ 将所述第一衬底(16)的第一支撑面(16o)固定在第一衬底支架(10)上，且将所述第二衬底(17)的第二支撑面(17o)固定在第二衬底支架(13)上，所述第二衬底支架能够与所述第一衬底支架（10）相对置地布置；‑ 检测第一对准标记(20)的尤其关于第一检测单元(3)的聚焦平面(12)的、第一X‑Y位置和/或第一对准方位，其中所述第一对准标记尤其是布置在所述第一衬底(16)的周围区域中；‑ 检测第二对准标记(21)的尤其关于第二检测单元(4)的聚焦平面(12)的、第二X‑Y位置和/或第二对准方位，其中所述第二对准标记尤其是布置在所述第二衬底(17)的周围区域中；‑ 将所述第一衬底(16)相对于所述第二衬底(17)对准；和‑ 将所述第一衬底(16)与所述第二衬底(17)接触，其中所述第一衬底(16)相对于所述第二衬底(17)对准，其特征在于，在所述对准之前，附加地由第三检测单元(7)进行所述第一衬底支架(10)和/或所述第一衬底(16)的第三X‑Y位置和/或第三对准方位的检测，借助所述第三检测单元(7)来控制所述对准。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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