[发明专利]MOSFET以及电力转换电路在审
| 申请号： | 201680088771.8 | 申请日： | 2016-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN109643656A | 公开（公告）日： | 2019-04-16 |
| 发明（设计）人： | 新井大辅;久田茂;北田瑞枝;浅田毅 | 申请（专利权）人： | 新电元工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海德昭知识产权代理有限公司 31204 | 代理人： | 郁旦蓉 |
| 地址： | 日本东京都千*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的MOSFET100，用于具备：反应器；电源；MOSFET；以及整流元件的电力转换电路中，其特征在于：具备：具有由所述n型柱形区域以及所述p型柱形区域构成超级结结构的半导体基体，其中，所述n型柱形区域以及所述p型柱形区域被形成为：使所述n型柱形区域的掺杂物总量比所述p型柱形区域的掺杂物总量更高，在关断所述MOSFET后，运作为：在从漏极电流开始减少直到漏极电流最初变为零的期间内，依次出现所述漏极电流减少的第一期间、所述漏极电流增加的第二期间、以及所述漏极电流再次减少的第三期间。根据本发明的MOSFET，由于能够在关断MOSFET后，将MOSFET的浪涌电压减小至比以往更小的程度，因此就能够使其适用于各种电力转换电路。 | ||
| 搜索关键词： | 漏极电流 电力转换电路 柱形区域 形区域 掺杂物 关断 半导体基体 超级结结构 浪涌电压 整流元件 反应器 减小 电源 | ||
【主权项】：
1.一种MOSFET，用于至少具备：反应器；向所述反应器提供电流的电源；对从所述电源提供至所述反应器的电流进行控制的MOSFET；以及对从所述电源提供至所述反应器的电流或对来自于所述反应器的电流进行整流运作的整流元件,的电力转换电路中，其特征在于，包括：半导体基体，具有：n型柱形区域、以及p型柱形区域，并且由所述n型柱形区域以及所述p型柱形区域构成超级结结构，其中，所述n型柱形区域以及所述p型柱形区域被形成为：所述n型柱形区域的掺杂物总量比所述p型柱形区域的掺杂物总量更高，在关断所述MOSFET后，运作为：在从漏极电流开始减少直到漏极电流最初变为零的期间内，依次出现所述漏极电流减少的第一期间、所述漏极电流增加的第二期间、以及所述漏极电流再次减少的第三期间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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