[发明专利]使用含钨粘合层增强互连可靠性能以实现钴互连的微电子器件和方法在审
| 申请号： | 201680088846.2 | 申请日： | 2016-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN109690755A | 公开（公告）日： | 2019-04-26 |
| 发明（设计）人： | J·A·法默;J·S·莱布;M·L·麦克斯威尼;H·S·西姆卡;D·B·贝里斯特伦 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 韩宏;陈松涛 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明的实施例包括一种微电子器件，其包括：具有介电材料层的衬底，所述介电材料层包括具有凹陷的特征部；含钨阻挡衬垫层，其形成在所述特征部的凹陷中；以及钴导电层，其沉积在所述特征部的凹陷中的含钨阻挡衬垫层上。含钨阻挡衬垫层为钴导电层提供粘附。 | ||
| 搜索关键词： | 阻挡衬垫层 特征部 凹陷 介电材料层 微电子器件 导电层 互连可靠性 粘合层 互连 衬底 粘附 沉积 | ||
【主权项】：
1.一种微电子器件，包括：具有介电材料层的衬底，所述介电材料层包括具有凹陷的特征部；含钨阻挡衬垫层，其形成在所述特征部的凹陷中；以及钴导电层，其沉积在所述特征部的凹陷中的所述含钨阻挡衬垫层上，其中，所述含钨阻挡衬垫层为所述钴导电层提供粘附。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
