[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201680089216.7 | 申请日： | 2016-09-21 |
| 公开（公告）号： | CN109791891B | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 坂本渉;中木宽;石原英恵 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/788;H01L29/792 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式的半导体装置包含积层体、第1绝缘层、第1、第2阶梯部(2)及第2绝缘层(46)。积层体包含第1电极层(41)(WLDD)及第2电极层(41)(SGD)。第1、第2阶梯部(2)设置在第1端部区域(101)及第2端部区域(102)。第2绝缘层(46)沿X方向延伸。第2绝缘层沿X方向将第2电极层(41)(SGD)分离。第2绝缘层(46)沿X方向的长度(L1)比第2电极层(41)(SGD)沿X方向的长度(L2)更长，且比第1电极层(41)(WLDD)沿X方向的长度(L3)更短。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具备：积层体，包含第1电极层、及沿积层方向与所述第1电极层电绝缘地设置的第2电极层；至少2个第1绝缘层，跨及所述积层体的上端到所述积层体的下端设置在所述积层体，且沿与所述积层方向相交的第1方向延伸；第1阶梯部，设置在所述至少2个第1绝缘层之间的所述积层体的第1端部区域；第2阶梯部，设置在所述至少2个第1绝缘层之间的所述积层体的位于所述第1端部区域的相反侧的第2端部区域；及第2绝缘层，沿所述第1方向延伸，设置在所述至少2个第1绝缘层之间的所述积层体，且沿所述第1方向将所述第2电极层分离；且所述第2绝缘层沿所述第1方向的长度比所述第2电极层沿所述第1方向的长度更长，且比所述第1电极层沿所述第1方向的长度更短。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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