[发明专利]防止光致抗蚀剂显影剂蚀刻的缓冲层有效
| 申请号： | 201680089255.7 | 申请日： | 2016-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN109844642B | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | A.E.梅格兰特 | 申请（专利权）人： | 谷歌有限责任公司 |
| 主分类号： | G03F7/09 | 分类号： | G03F7/09;H01L39/00;G03F7/11 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王冉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种方法，包括：提供具有第一层和第二层的器件，所述第二层与所述第一层的表面接触，其中所述第二层包括第一超导体材料；在第二层上形成缓冲材料以形成蚀刻缓冲层，其中在暴露于光致抗蚀剂显影剂时缓冲材料相对于第二层的蚀刻速率选择性使得在缓冲层暴露于光致抗蚀剂显影剂期间不会蚀刻下面的第二层；沉积和去除抗蚀剂层的选定部分以露出蚀刻缓冲层的第一部分，其中去除抗蚀剂层的选定部分包括将光致抗蚀剂显影剂施加到抗蚀剂层的选定部分。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 光致抗蚀剂 显影剂 蚀刻 缓冲 | ||
【主权项】：
1.一种制造量子电路器件的方法，所述方法包括：提供具有第一层和第二层的器件，所述第二层与所述第一层的表面接触，其中第二层包括在处于相应的超导临界温度时或低于相应的超导临界温度时表现出超导特性的第一超导体材料；在第二层的表面上形成缓冲材料以形成蚀刻缓冲层，其中在暴露于光致抗蚀剂显影剂时缓冲材料相对于第二层的蚀刻速率选择性使得在缓冲层暴露于光致抗蚀剂显影剂期间不会蚀刻下面的第二层；沉积和去除抗蚀剂层的选定部分以露出蚀刻缓冲层的第一部分，其中去除抗蚀剂层的选定部分包括将光致抗蚀剂显影剂施加到抗蚀剂层的选定部分。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于谷歌有限责任公司，未经谷歌有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201680089255.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：环境稳定的厚膜的化学放大抗蚀剂
- 下一篇：对曝光后过程进行建模
