[发明专利]单电子晶体管有效
| 申请号： | 201680089487.2 | 申请日： | 2016-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN109791944B | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | H.C.乔治 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/76 | 分类号： | H01L29/76;H01L29/66;H01L29/792;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 郑瑾彤;申屠伟进 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文公开了单电子晶体管（SET）器件以及相关方法和设备。在一些实施例中，一种SET器件可包括：第一和第二源极/漏极（S/D）电极，其被分别布置在第一绝缘支撑件的侧面上和第二绝缘支撑件的侧面上；岛，其被布置在第一和第二S/D电极之间并且延伸到第一和第二绝缘支撑件之间的区域中。在一些实施例中，一种SET器件可包括：第一和第二S/D电极，其被布置在基体上；岛，其被布置在第一和第二S/D电极之间的区域中；第一和第二电介质部分，其被分别布置在所述岛与第一和第二S/D电极之间；以及第三电介质部分，其被布置在所述基体和所述岛之间。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种器件，包括：第一和第二绝缘支撑件；单电子晶体管（SET）的第一和第二源极/漏极（S/D）电极，其中第一S/D电极被布置在第一绝缘支撑件的侧面上，并且第二S/D电极被布置在第二绝缘支撑件的侧面上；所述SET的岛，其被布置在第一和第二S/D电极之间并延伸到第一和第二绝缘支撑件之间的区域中；以及第一和第二电介质部分，其中第一电介质部分被布置在第一S/D电极和所述岛之间，并且第二电介质部分被布置在第二S/D电极和所述岛之间，以分别提供第一和第二隧道结（TJ）。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201680089487.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有单电子晶体管检测器的量子点器件
- 下一篇：具有共享栅的量子点阵列设备
- 同类专利
- 专利分类
