[发明专利]包括形成无接触接口的至少一个过渡的封装结构

摘要

本发明涉及一种封装结构（100），包括具有第一和第二传导块区段（10A、20A）和第一平面传输线路（2A）与第二传输线路（11A）之间的至少一个过渡的裂纹式砌块组件，以及一个或多个输入/输出端口。第一传输线路（2A）布置在衬底上，例如MMIC（1A），设置在第一传导块区段（10A）上并且包括耦合区段（3A），第一传导块（10A）包括具有第一传导块区段（10A）的上表面中的腔体开口的腔体（4A），所述腔体开口如此布置使得在裂纹式砌块组件的组装状态中，耦合区段（3A）将位于腔体（4A）的开口中或上方，第二传输线路（11A）与第一传输线路（2A）一致并且位于腔体（4A）的开口的相对侧上。第二传导块区段（20A）充当封装结构的组装状态中的盖子。传导块区段中的一个提供有沿着或者面向第一传输线路（2A）和第二传输线路（11A）的过渡区中的高阻抗表面（15A），窄隙提供在高阻抗表面区（15A）与至少处于过渡区中的其它传导块区段（10A）的相对表面之间，使得过渡将是无接触的，而没有第一和第二传输线路（2A、11A）之间的任何电流接触。

主权项

1.一种高频率封装结构（100；200；300；400；500；600；700；800），包括第一传输线路（2A；…；2H）和第二传输线路（11A；…；11F；2G'；11H）之间的至少一个过渡，所述第一传输线路是平面传输线路，封装结构包括具有第一传导块区段（10A；10B；10C；10D，10D；10E；10F；10G；10H）和第二传导块区段（20A；20B；20C；20D；20E；20F；20G；20H）的裂纹式砌块组件以及至少一个输入/输出端口，其特征在于，第一传输线路（2A；…；2H）布置在衬底上或者形成布置在衬底上的例如MMIC（1A；…；1H）之类的电路装置的一部分，设置在第一传导块区段（10A；…；10H）上并且包括或者连接到耦合区段（3A；…；3H），针对所述过渡或者每一个过渡，第一传导块区段（10A；…；10H）进一步包括具有第一传导块区段（10A；…；10H）的上表面中的腔体开口的腔体（4A；…；4H），第一传输线路（2A；…；2H）如此布置使得耦合区段（3A；…；3H）将在裂纹式砌块组件的组装状态中位于腔体（4A；…；4H）开口中，第二传输线路（11A；…；11F；2G'；11H）在腔体（4A；…；4H）开口的相对侧上与第一传输线路（2A；…；2H）一致布置以用于提供第一和第二传输线路之间的过渡，第二传导块区段（20A；…；20H）布置成充当封装结构的组装状态中的盖子或覆盖物，传导块区段中的一个被提供高阻抗或AMC表面区（15A；…；15H），例如包括周期性或准周期性结构，沿着或者面向所述过渡处的第一传输线路（2A；…；2H）和第二传输线路（11A；…；11F；2G'；11H）布置，并且存在高阻抗或AMC表面区（15A；…；15H）与至少处于所述过渡区中的裂纹式砌块组件的组装状态中的其它传导块区段（10A；…；10H）的相对表面之间的窄隙，使得所述第一传输线路（2A；…；2H）和所述第二传输线路（11A；…；11F；2G'；11H）之间的所述或者每一个过渡是无接触的，而没有第一传输线路（2A；…；2H）和第二传输线路（11A；…；11F；2G'；11H）之间的任何电流接触。