[发明专利]高光电变换效率太阳能电池及高光电变换效率太阳能电池的制造方法

摘要

本发明是一种太阳能电池的制造方法，具有：在具有第一导电型的半导体基板的两主表面形成凹凸的步骤，在半导体基板的第一主表面，形成基底层的步骤，在基底层上形成扩散屏蔽的步骤，将扩散屏蔽图案状地除去的步骤，在除去第一主表面的扩散屏蔽的处所，形成射极层的步骤，除去残存的扩散屏蔽的步骤，于第一主表面上形成介电体膜的步骤，于基底层上形成基底电极的步骤，以及在前述射极层上形成射极电极的步骤。由此，提供削减工序数目同时呈现高的光电变换效率的太阳能电池的制造方法。

主权项

1.一种太阳能电池的制造方法，其特征为具有：在具有第一导电型的半导体基板的两主表面形成凹凸的步骤，在前述半导体基板的第一主表面，形成具有前述第一导电型，且具有比前述半导体基板更高的掺杂物浓度的基底层的步骤，在该基底层上形成扩散屏蔽的步骤，将前述扩散屏蔽图案状地除去，使除去的处所以外的扩散屏蔽残存的步骤，在除去前述第一主表面之前述扩散屏蔽的处所，形成具有与前述第一导电型相反的导电型的第二导电型的射极层的步骤，除去前述残存的扩散屏蔽的步骤，于前述第一主表面上形成介电体膜的步骤，于前述基底层上形成基底电极的步骤，以及在前述射极层上形成射极电极的步骤。