[发明专利]具备放射深紫外光的半导体发光元件的发光组件在审

专利信息
申请号: 201680091035.8 申请日: 2016-11-22
公开(公告)号: CN110036493A 公开(公告)日: 2019-07-19
发明(设计)人: 井上振一郎;谷口学;中屋晃成 申请(专利权)人: 国立研究开发法人情报通信研究机构
主分类号: H01L33/56 分类号: H01L33/56
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;李茂家
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 发明的发光组件(1)具备:放射深紫外光(18)的半导体发光元件(10)、密封半导体发光元件(10)的液体(50)、以及容纳半导体发光元件(10)和液体(50)的封装件(30、40)。液体(50)对深紫外光(18)是透明的。封装件(30、40)具有对深紫外光(18)为透明的透明构件(40)。因此,可提供一种具备放射深紫外光(18)的半导体发光元件(10)的、可靠性高的发光组件(1)。
搜索关键词: 深紫外光 半导体发光元件 发光组件 放射 封装件 透明的 密封半导体 发光元件 透明构件 容纳
【主权项】:
1.一种发光组件,其具备:放射深紫外光的半导体发光元件、以及密封所述半导体发光元件的液体,所述液体对从所述半导体发光元件放射的所述深紫外光是透明的,所述发光组件还具备容纳所述半导体发光元件和所述液体的封装件,所述封装件具有对从所述半导体发光元件放射的所述深紫外光为透明的透明构件。
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