[发明专利]具有叠层上专用集成电路管芯的垂直键合线堆叠芯片级封装及其制造方法有效
| 申请号： | 201680091054.0 | 申请日： | 2016-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN110050340B | 公开（公告）日： | 2021-11-02 |
| 发明（设计）人： | 丁志成;佘勇;刘斌;谈爱萍;邓理 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L25/065 | 分类号： | H01L25/065;H01L23/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 系统级封装包括存储器模块中的存储器管芯叠层，其相对于处理器管芯垂直堆叠。存储器管芯叠层中的每个存储器管芯包括从基质引出以用于连接的垂直键合线。一些配置包括从键合线焊盘开始正交引出的垂直键合线。基质封闭存储器管芯叠层、间隔件和处理器管芯的至少一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 叠层上 专用 集成电路 管芯 垂直 键合线 堆叠 芯片级 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种系统级封装装置中的存储器模块，包括：基质，包括连接表面；存储器管芯叠层，以阶梯关系配置并且安置在所述基质中，所述存储器管芯叠层包括第一存储器管芯和后续存储器管芯，所述第一存储器管芯包括有源表面和后侧表面，并且所述后续存储器管芯包括有源表面和后侧表面，其中，所述第一存储器管芯包括从所述第一存储器管芯的有源表面延伸并且突破所述基质的连接表面的正交第一键合线，并且所述后续存储器管芯包括从所述后续存储器管芯的有源表面延伸并且突破所述基质的连接表面的正交后续键合线；处理器第一管芯，设置在所述第一存储器管芯上并且至少部分地安置在所述基质中，所述处理器第一管芯包括有源表面和后侧表面，其中，处理器凸块阵列设置在所述第一存储器管芯的有源表面上，并且其中，所述处理器凸块阵列至少部分地远离所述基质的连接表面延伸；间隔件，设置在所述第一存储器管芯上，并且其中，所述间隔件设置在所述处理器第一管芯和所述第一存储器管芯的正交第一键合线之间。
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