[发明专利]垂直晶体管器件和技术在审
| 申请号： | 201680091057.4 | 申请日： | 2016-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN110024133A | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | R·皮拉里塞泰;A·A·夏尔马;V·H·勒;G·W·杜威;J·T·卡瓦列罗斯 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/732 | 分类号： | H01L29/732;H01L29/66;H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 舒雄文;蹇炜 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本文公开了垂直晶体管器件和技术。在一些实施例中，器件可以包括：半导体衬底；半导体衬底上的第一层中的第一晶体管；以及第二层中的第二晶体管，其中，第二晶体管包括第一源极/漏极(S/D)接触部和第二S/D接触部，第一层在第二层和半导体衬底之间，并且第一S/D接触部在第二S/D接触部和第一层之间。在一些实施例中，器件可以包括：半导体衬底；半导体衬底上方的晶体管，其中，晶体管包括沟道以及在沟道和半导体衬底之间的源极/漏极(S/D)接触部。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 半导体 晶体管 第一层 垂直晶体管 源极/漏极 沟道 | ||
【主权项】：
1.一种器件，包括：半导体衬底；所述半导体衬底上的第一层中的第一晶体管；以及第二层中的第二晶体管，其中，所述第二晶体管包括第一源极/漏极(S/D)接触部、第二S/D接触部、沟道、栅极电极、以及所述栅极电极和所述沟道之间的栅极电介质；其中：所述第一层在所述第二层和所述半导体衬底之间；并且所述第一S/D接触部在所述第二S/D接触部和所述第一层之间。
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